余思远 余思远，研究生学位，毕业于英国格拉斯哥大学，国际知名的集成光子学专家，曾担任过欧盟重大研究项目首席科学家。目前任职于布里斯托大学电子工程学院。所在学科：光学工程、微电子学与固体电子学。擅长从基

余思远，研究生学位，毕业于英国格拉斯哥大学，国际知名的集成光子学专家，曾担任过欧盟重大研究项目首席科学家。目前任职于布里斯托大学电子工程学院。所在学科：光学工程、微电子学与固体电子学。擅长从基本物理原理的基础上开发创新集成光电子器件及其在光信息系统中的应用。研究范围跨越半导体光电子器件物理、光电子材料、微纳加工技术、集成光学与集成光子器件技术和光信息系统/网络应用技术。余思远[1]  是单片集成有源高速光开关阵列器件的开拓者之一。1999年报道了第一例磷化铟基全单片集成高速空间光开关阵列。此成果作为当时国际上集成度最高的光子芯片之一得到广泛的关注。此器件演示的光网络功能极为广泛和独特。有关的论文共被引用超过130次，特别是在IEEE/OSA Journal of Lightwave Technologies（光波技术期刊）40周年纪念特刊（2006）的两篇主要特邀文章中被分别独立引用。该技术已接近实用化。 余思远是具有国际领导地位的微环半导体激光器（SRL）专家。自1993年开始进行集成SRL的研究。1996年报道其首创的独特双饱和吸收器结构成为锁模SRL的最佳结构。 2001年申报了第一个基于SRL的超高速可调谐激光器专利，该器件于2007年实验演示了半导体激光器迄今最快的亚纳秒调谐速度。2003年首次报道了SRL的全光状态控制，2005年3月在IEEE Journal of Quantum Electronics 发表了关于SRL中非线性光学机制的文章，奠定了该领域的理论基础。在此基础上，首先提出了利用SRL的光旋转方向双稳态构建通用全光二进制逻辑单元的思想。自2006年起担任欧盟课题IOLOS总协调人，领导一个5个大学和3个公司组成的泛欧盟团队取得了大量国际首创的成果，产生了广泛的国际影响，所领导的团队被欧盟评估为集中了世界上该领域最领先的人员专长和成果。其围绕微环半导体激光器的研究论文共被引用超过100次