微电子学家。美国国籍。1947年7月出生于中国北京。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。1991-1994年任清华大学（北京）微电子学研究所荣誉教授。1997年当选为美国工程科学院院士。

胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。主要科技成就为：领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。 1985年应严东生院士邀请，胡正明等三位美国科学家提出了发展我国微电子科学技术的战略性的重要咨询建议，对当时我国微电子科学技术的发展有较大影响。1981年以来与电子科技大学、中国科学院微电子所、北京大学、清华大学、复旦大学、浙江大学等校进行合作研究并作学术讲座，协助推动在中国召开国际会议。1990年在北大与清华设置五名研究生奖学金，并鼓励中国留学生回国发展半导体工业。