许居衍，1934年7月9日出生，男，汉族，福建省闽侯县人，微电子技术专家。中共党员。1957年毕业于厦门大学（北大五校联办）半导体物理专业。曾任电子部第24研究所、中国华晶电子集团公司总工程师。现任中国电子科技集团第58研究所名誉所长、中国半导体行业协会荣誉顾问。

长期从事半导体技术开发工作。1960年代初，主持摸索集成电路制造技术，研制成功我国第一代硅平面单片集成电路并转移工厂生产，为开创我国集成电路事业做出贡献，获三等功臣称号。相继提出并研制成功高速发射极分流限制饱和逻辑电路、集成注入肖特基逻辑电路等创新结构，用于我国早期计算机。1970年代筹建大规模集成电路新工艺，主持研制成功图形发生器、图形数字转换机、控制计算机等组成的自动化制版系统和用于图形编辑的集成电路计算机辅助设计（CAD）系统，以及离子注入等新工艺，为成功研制动态随机存储器等多种大规模集成电路开辟了新的技术基础，获四川省重大成果奖、全国科学大会奖、全国国防系统先进工作者称号。1980-90 年代，探索科研与生产结合，促成建立无锡微电子科研生产联合企业，为南方微电子基地发展做出贡献。主持完成微米级集成电路大生产技术、标准代工示范工程、微控制器、锗硅HBT等重大项目，获省、部、国家科技进步奖。参与世行资助中国微电子工业发展研究，归纳发现半导体技术周期性创新规律（“许氏循环”）。主持完成微电子技术前景预测项目研究，成功预测2014—2017年进入硅技术生命曲线上的拐点（“微电子技术发展前景预测”）。

发表《非均匀掺杂层平均载流子迁移率》、《半导体特征循环与可重构芯片》等论文，参与主编《集成电路工业全书》等参考书。

1995年当选为中国工程院院士。