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吴汉明   吴汉明(1952.6.2-),男,微电子技术(集成电路制造)专家,江苏省常州市人。1987年毕业于中国科学院力学研究所,获博士学位。现任浙江大学微纳电子学院院长,曾任中芯国际集成电路制造有限公司技术研发副总裁。长期工作在我国集成电路芯片产业并做出突出贡献。主持、参加了包括国家重大专项在内的0.13微米至14纳米七代芯片大生产工艺技术研发,攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点,与世界先进水平差距明显缩小。用理论模型支持我国首台大生产等离子体刻蚀机研发。创建了设计IP核技术公共平台,支持芯片制造产业链协同发展。建立的非平衡态低温等离子体混合模型/整体模型作为教案被世界著名大学教科书采用。担任973项目首席科学家负责“量子点存储器和磁存储器技术研发”。发表著作论文116篇。授权发明专利67项。曾获得“北京学者”、“十佳全国优秀科技工作者”和“全国杰出专业技术人才”等荣誉。作为主要成员,三次获国家科技二等奖,多次获省部科技奖。2019年当选中国工程院院士。, 

吴汉明(1952.6.2- ),男,微电子技术(集成电路制造)专家,江苏省常州市人。1987年毕业于中国科学院力学研究所,获博士学位。现任浙江大学微纳电子学院院长,曾任中芯国际集成电路制造有限公司技术研发副总裁。

长期工作在我国集成电路芯片产业并做出突出贡献。主持、参加了包括国家重大专项在内的0.13微米至14纳米七代芯片大生产工艺技术研发,攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点,与世界先进水平差距明显缩小。用理论模型支持我国首台大生产等离子体刻蚀机研发。创建了设计IP核技术公共平台,支持芯片制造产业链协同发展。建立的非平衡态低温等离子体混合模型/整体模型作为教案被世界著名大学教科书采用。担任973项目首席科学家负责“量子点存储器和磁存储器技术研发”。发表著作论文116篇。授权发明专利67项。曾获得“北京学者”、“十佳全国优秀科技工作者” 和“全国杰出专业技术人才”等荣誉。作为主要成员,三次获国家科技二等奖,多次获省部科技奖。

2019年当选中国工程院院士。

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院士专家 发布: 更新: 2025-09-06 阅: 评:
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