王崇愚 金属缺陷电子结构与材料设计专家，主要从事材料缺陷电子理论的基础性研究。1932年10月12日生于丹东。1954年毕业于北京科技大学金属学专业。1993年当选为中国科学院院士。
, 金属缺陷电子结构与材料设计专家，主要从事材料缺陷电子理论的基础性研究。1932年10月12日生于丹东。1954年毕业于北京科技大学金属学专业。1993年当选为中国科学院院士。 ,金属缺陷电子结构与材料设计
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金属缺陷电子结构与材料设计专家，主要从事材料缺陷电子理论的基础性研究。1932年10月12日生于丹东。1954年毕业于北京科技大学金属学专业。1993年当选为中国科学院院士。

,金属缺陷电子结构与材料设计专家，主要从事材料缺陷电子理论的基础性研究。1932年10月12日生于丹东。1954年毕业于北京科技大学金属学专业。1993年当选为中国科学院院士。
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院士专家 发布: 更新: 2025-09-06 阅:

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樊文飞中国科学院外籍院士、英国皇家学会院士、英国爱丁堡大学教授 樊文飞，美国计算机科学家，中国科学院外籍院士、英国皇家学会院士、欧洲科学院院士、英国爱丁堡皇家学会院士（苏格兰科学院）、英国皇家工程院院士、ACM Fellow，英国爱丁堡大学信息学院首席教授。 樊文飞于1981年进入北京大学学习，先后获得学士和硕士学位；1999年获得美国宾夕法尼亚大学博士学位；2001年至2009年担任美国贝尔实验室研究员和科学家；2003年获得国家杰出青年科学基金（海外）资助；2008年获得罗杰·尼达姆奖；2011年当选为英国爱丁堡皇家学会院士（苏格兰科学院）；

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